[发明专利]太阳电池的制造方法无效
| 申请号： | 201110216943.4 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102254999A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄明政;黄明义;林汉涂 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳电池的制造方法，其包括下列步骤。首先提供一基板，并于基板上形成一基底电极。之后，于基底电极上形成一铜铟镓硒结晶层。接着，对铜铟镓硒结晶层的表面进行一化学机械研磨工艺，以平坦化铜铟镓硒结晶层的表面。之后，于已平坦化的铜铟镓硒结晶层表面上形成一缓冲层。继之，于缓冲层上形成一透明导电层。借此，本发明的太阳电池的制造方法有助于量产且所制成的太阳电池具有较佳的元件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳电池的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板，并于该基板上形成一基底电极；于该基底电极上形成一铜铟镓硒结晶层；对该铜铟镓硒结晶层的表面进行一化学机械研磨工艺，以平坦化该铜铟镓硒结晶层的表面；于已平坦化的该铜铟镓硒结晶层表面上形成一缓冲层；以及于该缓冲层上形成一透明导电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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