[发明专利]太阳能电池硅薄膜制备方法及实现该方法的装置有效
申请号: | 201110216366.9 | 申请日: | 2011-07-29 |
公开(公告)号: | CN102270704A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 王希军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 王淑秋 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池硅薄膜制备方法及实现该方法的装置,该方法及装置通过高精度移动平台带动太阳能电池基板作匀速直线运动,使给粉装置送出的超细硅粉均匀覆于基板上;在基板移动过程中,利用高能线激光光束照射基板,使覆于基板表面的硅粉在经过高能线激光光束照射区域时熔融,移出光束区后通过再结晶过程,在基板表面形成硅薄膜。本发明采用高能线激光光束照射硅粉,使硅粉瞬间熔融,当硅粉移出光束区后在自然条件下再结晶得到硅薄膜。与传统的制造方法相比,工艺环节简单,污染小,减小了能耗,降低了劳动强度。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 薄膜 制备 方法 实现 装置 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池硅薄膜制备方法,其特征在于:通过水平传动装置带动太阳能电池基板作匀速直线运动,使给粉装置送出的硅粉均匀覆于基板上;在基板移动过程中,利用高能线激光光束照射基板,使覆于基板表面的硅粉在经过高能线激光光束照射区域时熔融,移出光束区后通过再结晶过程,在基板表面形成硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的