[发明专利]一种多晶硅太阳电池的减反射膜膜系及制备方法

摘要

本发明公开一种多晶硅太阳电池的减反射膜膜系及制备方法。该减反射膜膜系的特征在于该膜系为双层膜结构，一层膜为热氧化法生长或制备的SiO2膜，另一层膜为在SiO2膜上沉积制备的SiNx膜；所述SiO2膜的膜层厚度为10-50nm；所述SiNx膜的膜层厚度为60-100nm，折射率为1.8-2.6。该制备方法依次经过下述常规工序：清洗、制绒、制结和刻蚀后，在氧气气氛中进行820-860℃的低温热氧化，生长或制备SiO2膜，然后通过等离子体增强化学气相沉积方法在SiO2膜上沉积制备SiNx膜，从而得到SiNx与SiO2双层膜的减反射膜膜系。该膜系可大幅度降低膜表面反射率，同时具有钝化作用。

主权项

一种多晶硅太阳电池的减反射膜膜系，其特征在于该膜系为双层膜结构，一层膜为热氧化法生长或制备的SiO2膜，另一层膜为在SiO2膜上沉积制备的SiNx膜；所述SiO2膜的膜层厚度为10 50nm；所述SiNx膜的膜层厚度为60 100nm，折射率为1.8 2.6。