[发明专利]TCO型导电DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法有效
申请号: | 201110212605.3 | 申请日: | 2011-07-28 |
公开(公告)号: | CN102903799A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 林宇杰 | 申请(专利权)人: | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/10 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200030 上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种TCO型导电DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法,该方法是在蓝宝石衬底上形成发光外延层,然后在发光外延层的上表面蒸镀由第一种N型TCO薄膜与第二种N型TCO薄膜和/或第n种N型TCO薄膜交替叠合组成的TCO型导电性DBR层,以与发光外延层的上表面形成欧姆接触;接着采用晶圆键合技术将导电性衬底键合至TCO型导电性DBR层上以形成P电极,之后利用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底,最后在发光外延层的下表面制备出N电极。以上述方法制作出的垂直式蓝光LED芯片,解决了现有技术中的上述垂直式LED芯片电极材料难与P-GaN形成欧姆接触、反射镜粘附性弱、高温下反射镜的反射率下降、导电DBR的制备温度过高和使用导电DBR作为P电极的蓝光LED芯片电压过高等问题。 | ||
搜索关键词: | tco 导电 dbr 垂直 式蓝光 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种TCO型导电DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法,其特征在于,所述制作方法至少包括以下步骤:1)提供一蓝宝石衬底,并于所述蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层;2)于所述发光外延层的上表面蒸镀一TCO型导电性DBR层,所述TCO型导电性DBR层由第一种N型TCO薄膜与第二种N型TCO薄膜和/或第n种N型TCO薄膜交替叠合组成,且所述第一种N型TCO薄膜与所述发光外延层的上表面形成欧姆接触;3)提供一导电性衬底,采用晶圆键合技术将所述导电性衬底键合至所述TCO型导电性DBR层的上表面以形成P电极;4)利用激光剥离技术剥离所述蓝宝石衬底,以将所述蓝宝石衬底从所述发光外延层的下表面剥离;以及5)于所述发光外延层的下表面制备出N电极。
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