[发明专利]TCO型导电DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法

摘要

本发明提供一种TCO型导电DBR垂直式蓝光LED芯片及其制作方法，该方法是在蓝宝石衬底上形成发光外延层，然后在发光外延层的上表面蒸镀由第一种N型TCO薄膜与第二种N型TCO薄膜和/或第n种N型TCO薄膜交替叠合组成的TCO型导电性DBR层，以与发光外延层的上表面形成欧姆接触；接着采用晶圆键合技术将导电性衬底键合至TCO型导电性DBR层上以形成P电极，之后利用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底，最后在发光外延层的下表面制备出N电极。以上述方法制作出的垂直式蓝光LED芯片，解决了现有技术中的上述垂直式LED芯片电极材料难与P-GaN形成欧姆接触、反射镜粘附性弱、高温下反射镜的反射率下降、导电DBR的制备温度过高和使用导电DBR作为P电极的蓝光LED芯片电压过高等问题。

主权项

一种TCO型导电DBR垂直式蓝光LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上表面形成发光外延层；2)于所述发光外延层的上表面蒸镀一TCO型导电性DBR层，所述TCO型导电性DBR层由第一种N型TCO薄膜与第二种N型TCO薄膜和/或第n种N型TCO薄膜交替叠合组成，且所述第一种N型TCO薄膜与所述发光外延层的上表面形成欧姆接触；3)提供一导电性衬底，采用晶圆键合技术将所述导电性衬底键合至所述TCO型导电性DBR层的上表面以形成P电极；4)利用激光剥离技术剥离所述蓝宝石衬底，以将所述蓝宝石衬底从所述发光外延层的下表面剥离；以及5)于所述发光外延层的下表面制备出N电极。