[发明专利]功率放大器及控制功率放大器的方法有效
| 申请号： | 201110212137.X | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102904534A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 王柏之 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03G3/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种功率放大器及控制功率放大器的方法，该功率放大器包含有一第一晶体管、一第二晶体管以及一偏压产生器，其中该第一晶体管具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，且该栅极耦接于该功率放大器的一信号输入端点；该第二晶体管具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，且该第二晶体管的该第二电极连接于该第一晶体管的该第一电极，且该第二晶体管的该第一电极耦接于该功率放大器的一信号输出端点。该偏压产生器耦接于该第二晶体管，用来产生一偏压值以使得该第二晶体管的该栅极被偏压至该偏压值，其中该偏压值小于该功率放大器的一供应电压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率放大器 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种功率放大器，包含：一第一晶体管，其具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，其中，所述栅极耦接于所述功率放大器的一信号输入端点；一第二晶体管，其具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，其中，所述第二晶体管的第二电极连接于所述第一晶体管的第一电极，且所述第二晶体管的第一电极耦接于所述功率放大器的一信号输出端点；以及一第一偏压产生器，耦接于所述第二晶体管，用来产生一第一偏压值以使得所述第二晶体管的栅极被偏压至所述第一偏压值，其中，所述第一偏压值小于所述功率放大器的一供应电压。
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