[发明专利]功率放大器及控制功率放大器的方法有效
| 申请号： | 201110212137.X | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102904534A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 王柏之 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03G3/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率放大器 控制 方法 | ||
1.一种功率放大器，包含：
一第一晶体管，其具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，其中，所述栅极耦接于所述功率放大器的一信号输入端点；
一第二晶体管，其具有一栅极、一第一电极以及一第二电极，其中，所述第二晶体管的第二电极连接于所述第一晶体管的第一电极，且所述第二晶体管的第一电极耦接于所述功率放大器的一信号输出端点；以及
一第一偏压产生器，耦接于所述第二晶体管，用来产生一第一偏压值以使得所述第二晶体管的栅极被偏压至所述第一偏压值，其中，所述第一偏压值小于所述功率放大器的一供应电压。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述第二晶体管的一基极耦接于所述第二电极。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述第一偏压产生器将所述供应电压进行分压操作以产生所述第一偏压值。
4.根据权利要求1所述的功率放大器，还包含有：
一检测电路，耦接于所述第一晶体管的栅极，用来检测所述功率放大器的所述信号输入端点所接收的一输入信号，以产生一第二偏压值以使得所述第一晶体管的栅极被偏压至所述第二偏压值。
5.根据权利要求4所述的功率放大器，其中，所述检测电路包含有：
一波幅检测器，用来检测所述输入信号的一波幅强度以产生一波幅强度信号；以及
一第二偏压产生器，用来依据所述波幅强度信号以产生所述第二偏压值。
6.根据权利要求5所述的功率放大器，其中，所述波幅强度信号与所述第二偏压值为正相关。
7.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，所述第一晶体管与所述第二晶体管具有一深阱(Deep-Well)。
8.一种控制一功率放大器的方法，包含：
提供一第一晶体管，其中，所述第一晶体管包含有一栅极、一第一电极以及一第二电极，且所述栅极耦接于所述功率放大器的一信号输入端点；
提供一第二晶体管，其中，所述第二晶体管包含有一栅极、一第一电极以及一第二电极，所述第二晶体管的第二电极连接于所述第一晶体管的第一电极，且所述第二晶体管的第一电极耦接于所述功率放大器的一信号输出端点；以及
产生一第一偏压值以使得所述第二晶体管的栅极被偏压至所述第一偏压值，其中，所述第一偏压值小于所述功率放大器的一供应电压。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一偏压值小于所述第二晶体管的第一电极的电压值。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，产生所述第一偏压值的步骤包含有：
将所述供应电压进行分压操作以产生所述第一偏压值。
11.根据权利要求8所述的方法，还包含有：
检测所述功率放大器的所述信号输入端点所接收的一输入信号，以产生一第二偏压值以使得所述第一晶体管的栅极被偏压至所述第二偏压值。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，检测所述功率放大器的所述信号输入端点所接收的所述输入信号，以产生所述第二偏压值的步骤包含有：
检测所述输入信号的一波幅强度以产生一波幅强度信号；以及
依据所述波幅强度信号以产生所述第二偏压值。
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