[发明专利]一种低介电常数介孔氧化硅薄膜材料的制备方法无效
| 申请号： | 201110208143.8 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102408251A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘玉荣 | 申请（专利权）人： | 重庆文理学院 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 50209 | 代理人： | 周韶红 |
| 地址： | 402160 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种低介电常数介孔氧化硅薄膜材料的制备方法，将P123和PDMS-PEO加入到聚合氧化硅溶胶中形成低聚硅酸盐前躯体溶液，然后经老化、旋涂到硅片上，再经焙烧制得低介电常数介孔氧化硅薄膜材料；所述聚合氧化硅溶胶是将TEOS、水、盐酸和乙醇混合经回流制得的。本发明方法制得的氧化硅薄膜材料介电常数在1.9～2.8，且介电稳定性好；焙烧后骨架收缩率为8%～16%、其骨架稳定性能优异；同时该材料高温热稳定性及疏水稳定性好；薄膜的介孔孔径较小，且尺寸分布均匀，其比表面积、孔容和孔径可分别达600~1000m2g-1，0.35~0.65cm3g-1和4.5~6.2nm；总之，本发明方法制得的氧化硅薄膜材料特别适合用于低介电常数涂层、膜分离、传感器、光学材料等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 氧化 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数介孔氧化硅薄膜材料的制备方法，其特征在于：将三嵌段聚合物聚氧乙烯‑聚氧丙烯‑聚氧乙烯（PEO‑PPO‑PEO，P123）和两嵌段聚合物聚二甲基硅氧烷‑聚氧乙烯（PDMS‑PEO）加入到聚合氧化硅溶胶中形成低聚硅酸盐前躯体溶液，然后经老化、旋涂到硅片上，再经焙烧制得低介电常数介孔氧化硅薄膜材料；所述聚合氧化硅溶胶是将正硅酸四乙酯（TEOS）、水、盐酸 (HCl)和乙醇(ETOH) 混合经回流制得的。
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