[发明专利]采用分级位线和两级灵敏放大器的SRAM电路装置有效
| 申请号： | 201110205980.5 | 申请日： | 2011-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102332298A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 刘鸣;陈虹;郑翔;曹华敏;高志强;王志华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贾玉健 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用分级位线和两级灵敏放大器的SRAM电路装置，划分为子阵列，每一个子阵列再采用分割位线级数，对应每根局部位线挂载有SRAM单元；第一级灵敏放大器采用锁存型结构，交叉耦合的反相器两个输入输出节点分别通过一个PMOS管驱动全局位线，这样局部位线放大后的信号无需缓冲，直接驱动全局位线，相比现有方案可以提升速度；第二级灵敏放大器采用一对互补的差分放大器，在第一级灵敏放大器打开之前开始工作，响应全局位线的变化，将全局位线上的差分数据放大至全摆幅并输出；本发明采用互补结构有利于数据的锁存和最终驱动输出，相比现有结构，采用分级位线和两级放大机制的电路访问延时减小了15％，有效提高了SRAM的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 分级 两级 灵敏 放大器 sram 电路 装置 | ||
【主权项】：
一种采用分级位线和两级灵敏放大器的SRAM电路装置，其特征在于：包括一个以上的SRAM单元阵列，每个SRAM单元阵列包括一个以上的SRAM单元(210)，每个SRAM单元阵列中的每个SRAM单元(210)都同对应于该SRAM单元阵列的两条局部位线(221)相通信连接，该两条局部位线(221)构成一个局部位线组，一个以上的局部位线组同对应的一个第一级灵敏放大器(230)相电连接，一个以上的第一级灵敏放大器(230)组成一个第一级灵敏放大器列，同一第一级灵敏放大器列的所有第一级灵敏放大器(230)的输出口均同对应的两条全局位线(241)相电连接，该两条全局位线(241)构成一个全局位线组，每个全局位线组同对应的一个第二级灵敏放大器(250)相电连接，每个第二级灵敏放大器(250)的输出口同全局缓冲输出模块(260)相电连接。
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