[发明专利]一种n-p-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件及制备

摘要

一种n-p-衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件，由衬底、p-InxGa1-xN薄膜和n-InyGa1-yN薄膜依次叠加构成，所述p-InxGa1-xN薄膜中的x为0.3～0.8，n-InyGa1-yN薄膜中的y为0.05～0.3；其制备方法采用MOCVD工艺，首先对衬底表面进行表面等离子体清洗，然后依次沉积p-InxGa1-xN薄膜和n-InyGa1-yN薄膜。本发明的优点是：氮铟镓薄膜提供了对应于太阳光谱几乎完美的匹配带隙，为利用单一半导体材料设计、制备更为高效的多结太阳电池提供了可能，且其吸收系数高，载流子迁移率高，抗辐射能力强；其制备方法工艺简单、易于实施，有利于大规模的推广应用。

主权项

一种n‑p‑衬底型铟镓氮多层薄膜结构光伏器件，其特征在于：由衬底、p‑InxGa1‑xN薄膜和n‑InyGa1‑yN薄膜依次叠加构成，所述p‑InxGa1‑xN薄膜中的x为0.3～0.8，n‑InyGa1‑yN薄膜中的y为0.05～0.3。