[发明专利]一种生长纳米晶硅粉体的装置

摘要

本发明公开了一种生长纳米晶硅粉体的装置，包括反应腔，设置在反应腔顶部的进气管道，设置在反应腔底部的收集腔，位于反应腔外部的射频源，以及设置在收集腔内部的收集网；其关键在于：一对电极在反应腔中竖直设置，电极对应的两端固定有充当介质阻挡层的石英片形成一对平行板，所述收集腔的底部连接有真空泵，在收集腔的内部且在收集网的下面设有可调挡板。通过调整气体流量和/或通过真空泵与挡板调整反应腔的气压，可以控制纳米晶硅的生长时间，达到控制纳米晶硅颗粒大小的目的。本发明操作简单，设备成本低，是一种经济实用的生产纳米晶硅粉体的装置。

主权项

一种生长纳米晶硅粉体的装置，包括反应腔（1），设置在反应腔（1）顶部的进气管道（2），设置在反应腔（1）底部的收集腔（3），位于反应腔（1）外部的射频源（6），以及设置在收集腔（3）内部的收集网（5）；其特征在于：一对电极（9）在反应腔（1）中竖直设置，电极（9）对应的两端固定有充当介质阻挡层的石英片（10）形成一对平行板，所述收集腔（3）的底部连接有真空泵（7），在收集腔（3）的内部且在收集网（5）的下面设有可调挡板（8）。