[发明专利]具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110193383.5 申请日: 2011-07-12
公开(公告)号: CN102280331A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 王如志;宋志伟;赵维;严辉;王波;张铭;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01J1/308 分类号: H01J1/308;H01J29/04;H01J9/02
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 沈波
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法,属于场发射阴极技术领域,该阴极材料为GaN和AlN的混合物,同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构;组分为:AlxGa1-xN,0<x≤0.95。制备方法:将衬底及GaN和AlN烧结成的靶材放入激光脉冲沉积系统,抽真空、加热衬底、通入保护气体,用脉冲激光沉积系统制备了铝镓氮纤锌矿六方相和闪锌矿立方相两相共存的纳米薄膜。该薄膜相对单相薄膜场发射开启电压和最大电流密度提高了2-5个数量级。这种两相共存的薄膜有助于提高薄膜场发射性能和场发射显示器的商业化,有着明显的应用前景和潜在的经济效益。
搜索关键词: 具有 电子 发射 增强 混合 氮化物 薄膜 阴极 及其 制备 方法
【主权项】:
具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极材料,其特征在于,该场发射阴极材料为GaN和AlN两种宽带隙氮化物半导体的混合物,并且该薄膜同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构;该场发射阴极材料的组分为:AlxGa1‑xN,其中0<x≤0.95。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110193383.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top