[发明专利]发光器件及其制造方法有效
申请号: | 201110192252.5 | 申请日: | 2011-07-05 |
公开(公告)号: | CN102315346A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 朴径旭 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/36;H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种发光器件,包括导电支撑基板、被布置于导电支撑基板上的反射层、被布置于反射层上并且在其边缘的至少一个区域中设置有台阶的第一电极层、被布置于台阶上的保护层、和被布置于第一电极层和保护层上的发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和插入在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层,其中反射层和第一电极层的至少一个区域垂直地重叠保护层。基于该构造,发光器件能够改进电极层和反射层之间的粘附性并且设置有更宽的反射层,因此提高亮度。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:导电支撑基板;所述导电支撑基板上的反射层;第一电极层,其位于所述反射层上并且在其边缘的至少一个区域中设置有台阶;所述台阶上的保护层;和所述第一电极层和所述保护层上的发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和插入在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层,其中所述反射层和所述第一电极层的至少一个区域垂直地重叠所述保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110192252.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种变电站室内环境安全智能控制系统
- 下一篇:震后电源控制系统