[发明专利]一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201110191364.9 | 申请日： | 2011-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102412016A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;蒋亚东;徐建华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C08G61/12;C03C17/28 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杨保刚;徐丰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法，首先通过LB膜方法获得导电聚合物单体有序薄膜，然后通过刻蚀方法在单体薄膜上得到聚合物单体有序化阵列结构，最后采用化学原位聚合的方法获得导电聚合物有序微/纳米结构阵列。该方法所制备的聚合物微/纳米结构阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 聚合物 有序 纳米 结构 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法，首先通过LB膜方法获得导电聚合物单体有序薄膜，然后通过刻蚀方法在单体薄膜上得到聚合物单体微/纳米结构有序化阵列，最后采用化学原位聚合的方法获得导电聚合物微/纳米结构有序化阵列，其特征在于，具体包括以下步骤：①将聚合物单体溶于溶剂中，形成聚合物单体单分子溶液，所述导电聚合物单体为十二烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩或十八烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩；②将聚合物单体单分子溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面，并形成单体单分子膜；③控制LB拉膜机滑障压缩单体单分子膜到成膜膜压，采用垂直成膜的方式将单体膜转移至基片上；④将沉积于基片上的单体膜采用刻蚀方法获得单体微/纳米结构阵列；⑤将获得的单体微/纳米结构阵列暴露于氧化性气体中引发聚合，得到导电聚合物微/纳米结构阵列。
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