[发明专利]基于氧化石墨制备纳米线阵列LED顶电极的方法

摘要

本发明属于光电子器件制作领域，涉及一种纳米线阵列LED顶电极的制备方法，首先，在纳米线LED器件阵列上形成氧化石墨支撑膜，然后利用合适的薄膜生长技术，在已经被氧化石墨封装起来的阵列上沉积透明电极材料，最后通过高温退火处理，使氧化石墨在有氧环境中高温分解，从而使导电薄膜与阵列中的纳米线形成良好接触，制备出纳米线阵列LED的顶电极。本发明针对现有纳米线阵列LED顶电极制备工艺的缺乏，提出一种实用的新方法，具有导电薄膜与纳米线阵列接触良好、载流子注入效率高、器件发光效率高、热稳定性好、制备成本低、工艺简单、无毒、无污染等优点，可广泛用于含有纳米线(棒)阵列的发光器件的顶电极制备。

主权项

基于氧化石墨制备纳米线阵列LED顶电极的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：1).配制氧化石墨溶液：溶液浓度为2.4mg/mL；2).取体积为0.1～0.3mL的氧化石墨溶液，旋涂机转速设定在1500～3000r/min，将上述溶液旋涂到纳米线或棒阵列表面，待溶剂挥发后，氧化石墨在阵列顶端成膜，并且将整个阵列封装起来；3).使用电子束蒸发，磁控溅射，脉冲激光沉积等薄膜生长技术，在已经被封装起来的纳米线阵列上沉积ITO、ZnO:Al、ZnO:Ga透明电极材料，在氧化石墨的支撑作用下，电极材料能够形成连续致密的导电薄膜，同时避免与纳米线阵列底部形成短路状态；4).通过温度为400～600℃，时间为10～40分钟的高温退火处理，氧化石墨在有氧环境中高温分解，从而使导电薄膜与阵列中的纳米线形成良好接触，制备出纳米线阵列LED的顶电极。