[发明专利]增大芯片键合面积的方法无效
| 申请号： | 201110189245.X | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102251217A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 杨继远 | 申请（专利权）人： | 杨继远 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/50;C30B33/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100096 北京市海淀区建材*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种增大芯片键合面积的方法，其主要技术特征是采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入其中进行键合材料的蒸发或沉积。可制备高效率、高亮度、低阻值、性能稳定的LED发光二极管器件。用这种方法进行晶圆片/硅片(或晶圆片/晶圆片)键合，键合后衬底片键合面积高达99.99％以上、无键合材料外溢、无空洞，键合强度高，键合率高达99％以上，其制得的衬底片不但键合区不存在污染层、多晶层、氧化层，而且提高后续工艺的成品率，降低生产成本。从而可使制得的二极管发光器件性能得到大大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 增大 芯片 面积 方法 | ||
【主权项】：
一种增大芯片键合面积的方法，其特征在于：采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入其中进行键合材料的蒸发或沉积。随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业，将晶圆片/晶圆片(或晶圆片/硅片)键合在一起。
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