[发明专利]新型多晶硅制绒工艺无效
申请号: | 201110185465.5 | 申请日: | 2011-07-04 |
公开(公告)号: | CN102254992A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 王应民;程泽秀;李清华;李禾 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330063 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明为新型多晶硅制绒工艺,结合了电化学腐蚀和化学酸腐蚀制绒特点。首先采用电化学腐蚀法对多晶硅进行刻蚀,然后采用化学酸腐蚀法进行二次腐蚀。不仅能够克服化学酸腐蚀过程中腐蚀速度不易控制等问题,同时也能解决电化学腐蚀法中腐蚀不均匀等问题。本发明新型多晶硅制绒工艺具有高的稳定性,制备的多晶硅太阳能电池具有低的反射率及高的光电转化效率,具有比较好的开发价值。 | ||
搜索关键词: | 新型 多晶 硅制绒 工艺 | ||
【主权项】:
本发明是新型多晶硅制绒工艺,结合了电化学腐蚀法和化学酸腐蚀法腐蚀优点,降低多晶硅绒面反射率,提高多晶硅太阳电池的光电转换效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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