[发明专利]调制氧化锌纳米线持续光电导效应的光学方法有效
申请号: | 201110185212.8 | 申请日: | 2011-07-01 |
公开(公告)号: | CN102280523A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 师文生;王耀;佘广为 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B82Y10/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 李柏 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于纳米材料应用技术领域,特别涉及一种调制氧化锌纳米线持续光电导效应的光学方法。本发明使用红外光照射处于持续光电导状态下的氧化锌纳米线光电器件,使氧化锌纳米线光电器件的电导率降低,从而实现持续光电导的淬灭。本发明还可在基于氧化锌纳米线的非易失性光存储器受到紫外光照射激发后,使用红外光照射处于持续光电导状态的该非易失性光存储器,使非易失性光存储器的电导率降低,从而实现数据的擦除。本发明的方法具有响应快、成本低、方法便捷等优点,特别适于基于氧化锌纳米线的非易失性光存储器方面的应用。 | ||
搜索关键词: | 调制 氧化锌 纳米 持续 电导 效应 光学 方法 | ||
【主权项】:
一种调制氧化锌纳米线持续光电导效应的光学方法,其特征是:使用红外光照射处于持续光电导状态的氧化锌纳米线光电器件,使氧化锌纳米线光电器件的电导率降低,从而实现持续光电导的淬灭。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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