[发明专利]薄膜太阳电池、组件及制造方法有效
| 申请号： | 201110183088.1 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102254967A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 朱鑫;牛新伟;李贵君;王明华;郁操;方晓玲;程冰;周曦;丁建;杨立友 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供薄膜太阳电池、组件及制造方法。本发明的薄膜太阳电池包括：衬底；第一透明导电氧化物层，形成于所述衬底之上；至少一个NIP结，形成于所述第一透明导电氧化物层之上；第二透明导电氧化物层，形成于所述NIP结之上；其特征在于，在所述衬底和第一透明导电氧化物层之间形成本征半导体黏附层和金属薄膜层，所述本征半导体黏附层与所述衬底相接触，所述金属薄膜层与所述第一透明导电氧化物层相接触。本发明还提供一种制造该电池的方法以及一种制造薄膜太阳电池组件的方法。本发明解决了现有技术在制造NIP结构电池组件中的高损耗、图形化难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳电池 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳电池，包括：衬底(100)；第一透明导电氧化物层(410)，形成于所述衬底(100)之上；至少一个NIP结(510)，形成于所述第一透明导电氧化物层(410)之上；第二透明导电氧化物层(610)，形成于所述NIP结(510)之上；其特征在于，在所述衬底(100)和第一透明导电氧化物层(410)之间形成本征半导体黏附层(210)和金属薄膜层(310)，所述本征半导体黏附层(210)与所述衬底(100)相接触，所述金属薄膜层(310)与所述第一透明导电氧化物层(410)相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
