[发明专利]绝缘栅控横向场发射晶体管及其驱动方法在审
| 申请号： | 201110181695.4 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102856362A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;董立军;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/76;H01L21/334 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种绝缘栅控横向场发射晶体管及其驱动方法，包括：第一栅介质层，具有相对的第一表面和第二表面；第一栅电极，位于所述第一栅介质层的第一表面上；收集极和发射极，位于所述第一栅介质层的第二表面上、所述第一栅电极的两侧，所述收集极和发射极彼此绝缘且二者之间具有空隙。本发明在场效应晶体管中通过发射极到收集极的场发射电流来实现导电，同时用第一栅电极来控制发射极至收集极的横向场发射的电流开关，摆脱了常规MOS场效应晶体管中沟道区域的晶格结构对载流子输运的限制，能够满足工艺发展的需要，而且具有更快的响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 横向 发射 晶体管 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅控横向场发射晶体管，其特征在于，包括：第一栅介质层，具有相对的第一表面和第二表面；第一栅电极，位于所述第一栅介质层的第一表面上；收集极和发射极，位于所述第一栅介质层的第二表面上、所述第一栅电极的两侧，所述收集极和发射极彼此绝缘且二者之间具有空隙。
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