[发明专利]一种太阳能硅片的清洗方法无效

专利信息
申请号: 201110181286.4 申请日: 2011-06-30
公开(公告)号: CN102363149A 公开(公告)日: 2012-02-29
发明(设计)人: 丁海军 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: B08B3/08 分类号: B08B3/08;H01L31/18
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213031 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于太阳能硅片清洗技术领域,特别是太阳能硅片表面金属离子去除的方法。步骤如下:一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗;二、将清洗后的硅片浸入一定pH值的质量百分含量为0.03%~0.05%的HCN水溶液中,室温下浸泡20~30秒钟;三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。本发明通过将硅片用HCN水溶液清洗后,使得硅片表面的金属污染物含量从1013原子/cm2降低至109原子/cm2,并且使得电池的转换效率增加了2%。
搜索关键词: 一种 太阳能 硅片 清洗 方法
【主权项】:
一种太阳能硅片的清洗方法,其特征是:包括如下步骤:一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗;二、将清洗后的硅片浸入一定pH值的质量百分含量为0.03%~0.05%的HCN水溶液中,室温下浸泡20~30秒钟;三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。
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