[发明专利]一种太阳能硅片的清洗方法

说明书

技术领域

本发明属于太阳能级硅片清洗技术领域，特别是太阳能硅片表面金属离子 去除的方法。

背景技术

太阳能级硅晶体切片所用的切割钢线为一根表面镀有铜镀层的铁丝，在硅 晶体切片过程中，钢线上的金属铜和金属铁在切割前沿的高温下会侵蚀硅片， 使硅片表面形成缺陷，进而对电池的转换效率造成影响。传统的硅片清洗方法 是利用无机酸、氧化剂、无机碱以及表面活性剂等溶液分别对硅片进行清洗。 由于硅片表面的金属离子被清洗到溶液中后还会存在反吸附，传统的硅片清洗 方法无法将硅片表面铜和铁污染物的含量清洗至一定要求的水平以下。因此， 将硅片表面铜和铁污染物的含量降低至某一要求的水平以下，可减少硅片表面 的缺陷，提高硅片的少子寿命，从而提高电池的转换效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种太阳能硅片的清洗方法，将硅 片表面铜和铁污染物的含量降低。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种太阳能硅片的清洗方 法，其特征是：包括如下步骤：

一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗；

二、将清洗后的硅片浸入一定pH值的质量百分含量为0.03％～0.05％的 HCN水溶液中，室温下浸泡20～30秒钟；

三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。

具体地，HCN水溶液的质量百分含量为0.05％。

具体地，HCN水溶液的质量百分含量为0.03％。

HCN水溶液可以是KCN或NaCN水溶液。

HCN水溶液的pH值为6～10。

调节pH值的溶液为氨水。

步骤二的浸泡时间为20秒钟。

或者，步骤二的浸泡时间为30秒钟。

本发明的有益效果是：通过将硅片用HCN水溶液清洗后，使得硅片表面 的铜和铁污染物含量从10¹³原子/cm²降低至10⁹原子/cm²，并且使得电池的转换 效率增加了2％。

具体实施方式

实施例1，一种太阳能硅片的清洗方法，其步骤如下：

一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗；

二、将清洗后的硅片浸入利用2％的氨水调节的pH为8的质量百分含量为 0.03％的HCN水溶液中，室温下浸泡20秒钟；

三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。

通过将硅片用HCN水溶液清洗后，使得硅片表面的铜和铁污染物含量从 10¹³原子/cm²降低至10⁹原子/cm²，并且使得电池的转换效率增加了2％。

实施例2，一种太阳能硅片的清洗方法，其步骤如下：

一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗；

二、将清洗后的硅片浸入利用2％的氨水调节的pH为6的质量百分含量为 0.05％的HCN水溶液中，室温下浸泡30秒钟；

三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。

实施例3，一种太阳能硅片的清洗方法，在实施例1和2的清洗过程中起作 用的是HCN在水溶液中电离来的CN离子，而KCN或NaCN在水溶液中也可电离 出CN离子，因此用KCN或NaCN也可以达到清洗并去除金属离子的目的。

其步骤如下：

一、对切割后的硅片用传统的清洗方法进行清洗；

二、将清洗后的硅片浸入利用氨水调节至pH为6～10的质量百分含量为 0.03％～0.05％的KCN或NaCN水溶液中，室温下浸泡20～30秒钟；

三、将浸泡后的硅片用纯水漂洗后烘干。