[发明专利]碳化硅网格状电极PIN型核电池

摘要

本发明公开了一种碳化硅网格状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)由多个相同的正方形网格组成，正方形网格由多个横向矩形条和多个纵向矩形条分割而成，整个网格电极的外围留有多个引脚；同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明能量转换效率高，可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。

主权项

一种碳化硅网格状电极PIN型核电池，依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(2)、SiO2致密绝缘层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm‑3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm‑3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm‑3的n型SiC衬底样片(7)和n型欧姆接触电极(8)，其特征在于p型欧姆接触电极(4)采用g个大小相同的正方形网格结构，g≥4，放射性同位素源层(1)覆盖在该网格接触电极的表面。