[发明专利]基于MEMS技术的同时测量流体密度、压力和温度的集成流体传感器无效

专利信息
申请号: 201110180191.0 申请日: 2011-06-29
公开(公告)号: CN102288516A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 赵立波;黄恩泽;张桂铭;赵玉龙;蒋庄德;苑国英;王晓坡;刘志刚 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01N9/00 分类号: G01N9/00;G01L9/04;G01K7/25
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种基于MEMS技术的同时测量流体密度、压力和温度的集成流体传感器,包括配置有空腔的基座,基座内壁设置有永磁体,集成传感器芯片与玻璃底座封装在一起后封装在基座底部,所述基座底部开设有供流体流入流出的通液孔,所述玻璃底座开设由与前述通液孔相通的开孔以将基座浸没于流体中,所述集成传感器芯片通过其焊盘与PCB转接板相连,再通过信号线输出;所述集成传感器芯片包括密度传感器芯片,压力传感器芯片和集成在密度传感器芯片表面的硼掺杂热敏电阻,其中,所述密度传感器芯片通过其上的两个焊盘引入交流电;所述压力传感器芯片采用分布式梁膜结构。本发明传感器可以同时测量流体密度、压力和温度,且灵敏度更高、非线性较小,提高了传感器的抗干扰性。
搜索关键词: 基于 mems 技术 同时 测量 流体 密度 压力 温度 集成 传感器
【主权项】:
基于MEMS技术的同时测量流体密度、压力和温度的集成流体传感器,其特征在于:包括配置有空腔的基座(2),基座(2)内壁设置有永磁体(7),集成传感器芯片(3)与玻璃底座(4)封装在一起后封装在基座(2)底部,所述基座(2)底部开设有供流体流入流出的通液孔(5、6),所述玻璃底座(4)开设由与前述通液孔相通的开孔已将基座(2)浸没于流体中,所述集成传感器芯片(3)通过其焊盘与PCB转接板(1)相连,再通过信号线输出;所述集成传感器芯片(3)包括密度传感器芯片(31),压力传感器芯片(32)和集成在密度传感器芯片(31)表面的硼掺杂热敏电阻(25),其中,所述密度传感器芯片(3)通过其上的两个焊盘引入交流电,所述压力传感器芯片(32)采用分布式梁膜结构。
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