[发明专利]一种巨磁阻抗薄膜材料及制备方法无效
| 申请号： | 201110176719.7 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102231423A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 钟智勇;刘爽;张怀武;唐晓莉;苏桦;贾利军;白飞明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种巨磁阻抗薄膜材料及其制备方法，属于功能材料技术领域。巨磁阻抗薄膜材料由衬底基片表面彼此相间的NiFe合金薄膜层和掺Cr的NiFe合金薄膜层形成多层薄膜体系，其中NiFe合金薄膜层Ni、Fe之间的质量比为(80～81)∶(19～20)；掺Cr的NiFe合金薄膜层Ni、Fe之间的质量比为(80～81)∶(19～20)，且掺杂元素Cr的质量占Ni、Fe和Cr质量总和的1％～8％；NiFe合金薄膜层和掺Cr的NiFe合金薄膜层厚度不超过200纳米、且数量级相当，整体厚度达到微米量级。本发明的巨磁阻抗薄膜材料采用具有不同饱和磁化强度的磁性层间隔而成，相比磁性层与非磁性层形式的错层薄膜材料体系，其饱和磁化强度更大，从而可获得更大的巨磁阻抗效应，为制备巨磁阻抗微传感器提供了一种性能更为优异的材料选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种巨磁阻抗薄膜材料，包括衬底基片(1)、多层NiFe合金薄膜层(2)和多层掺Cr的NiFe合金薄膜层(3)；所述NiFe合金薄膜层(2)和掺Cr的NiFe合金薄膜层(3)彼此相间地位于衬底基片表面，形成复合多层薄膜体系；衬底基片表面的第一合金薄膜层是NiFe合金薄膜层(2)或掺Cr的NiFe合金薄膜层(3)；所述NiFe合金薄膜层(2)和掺Cr的NiFe合金薄膜层(3)厚度不超过200纳米、且数量级相当；彼此相间的NiFe合金薄膜层(2)和掺Cr的NiFe合金薄膜层(3)所形成的多层薄膜体系整体厚度达到微米量级；NiFe合金薄膜层(2)中，Ni、Fe之间的质量比为(80～81)∶(19～20)；掺Cr的NiFe合金薄膜层(3)中，Ni、Fe之间的质量比为(80～81)∶(19～20)，且掺杂元素Cr的质量占Ni、Fe和Cr质量总和的1％～8％。
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