[发明专利]实现与n型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法无效
| 申请号： | 201110176219.3 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102231387A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 揭建胜;于永强;蒋阳;罗林保;朱志峰 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L31/0224;H01L21/28 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现与n型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极及其制备方法，其特征是所述电极是为AZO或ITO透明电极，在n型ZnS准一维纳米材料上直接形成，可通过磁控溅射方法或脉冲激光沉积方法制得，制备的电极经过后退火处理，电极与ZnS准一维纳米材料的欧姆接触可进一步改善。本发明方法解决了电极与n型ZnS准一维纳米材料直接形成欧姆接触的问题，可用于n型ZnS准一维纳米材料相关器件制备与研究，电极制备方法简单，可靠，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 zns 准一维 纳米 材料 欧姆 接触 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种实现与n型ZnS准一维纳米材料欧姆接触的电极，其特征是所述电极是直接在n型ZnS准一维纳米材料上形成的AZO或ITO透明电极。
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