[发明专利]一种制备氧化锌掺铁室温磁性半导体的方法有效
| 申请号： | 201110169819.7 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102299257A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 王锋;黄伟伟;张小婷;连阿强;李珊瑜 | 申请（专利权）人： | 泉州师范学院 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/14;H01F1/40 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 戴中生 |
| 地址： | 362000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备氧化锌掺铁室温磁性半导体的方法，采用纯度为99％的分析纯ZnO粉末和纯度为99％的分析纯Fe3O4粉末为原料进行混合研磨，然后将材料压制成片状或者不压片，并采用特有的烧结工艺，在高温电阻炉里进行大气氛围下的固相反应，完成室温磁性半导体的制备。本发明的制备方法具有工艺简化，无需用球磨机研磨、选用的制备工具和原材料低廉、产量大、填充性好、人工费用低，产品具有良好室温铁磁性和导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氧化锌 室温 磁性 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种制备氧化锌掺铁室温磁性半导体的方法，其特征在于：采用纯度为99％的分析纯ZnO粉末和纯度为99％的分析纯Fe的氧化物粉末为原料进行混合研磨，然后将材料压制成片状或者不压片，并采用特有的烧结工艺，在高温电阻炉里进行大气氛围下的固相反应，完成室温磁性半导体的制备。
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