[发明专利]一种制备太阳电池钝化薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110157239.6 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102208495A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 石峰军;查超麟;梅晓东;汤安民;王学林 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备太阳能电池钝化薄膜的方法，主要应用于太阳能电池的前后背表面的钝化处理，属于太阳能电池制造工艺领域。该方法是将由微小氧化物颗粒组成的浆料涂敷在硅片表面，在热处理工艺后，在硅片表面形成钝化膜。所述微小氧化物颗粒指纳米级SiO2或Al2O3颗粒，其特征尺寸为5nm～500nm。由于纳米级的颗粒有明显的纳米尺寸效应，具有较低的烧结温度，使得颗粒与硅片易结合，形成钝化薄膜。与常规的热氧化高温处理相比，本发明具有明显的较低烧结温度的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 太阳电池 钝化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备太阳电池钝化薄膜的方法，其特征在于，将由微小氧化物颗粒组成的浆料涂敷在硅片表面，在热处理工艺后，在硅片表面形成钝化膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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