[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201110153617.3 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102760790A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 彭裕钧;林义凯;廖振良;张志雄 | 申请（专利权）人： | 宇通光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/05 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;张燕华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜太阳能电池及其制造方法，适于匹配太阳能电池中多个并联的光电转换区块的开路电压。此种制造方法包括在一第一基板上形成具有n个串联的第一光电转换单元的第一光电转换区块；在一第二基板上形成具有m个串联的第二光电转换单元的第二光电转换区块；胶合第一光电转换区块与第二光电转换区块；以及电性连接第一光电转换区块与第二光电转换区块，使得该些串联的第一光电转换单元并联该些串联的第二光电转换单元。每一第一光电转换单元的开路电压为Vn，每一第二光电转换单元的开路电压为Vm，m*Vn/n*Vm的比值介于0.9至1.1之间。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池的制造方法，适于匹配多个并联的光电转换区块的电压，其特征在于，该制造方法包括：在一第一基板上形成一第一光电转换区块，该第一光电转换区块包括n个串联的第一光电转换单元；在一第二基板上形成一第二光电转换区块，该第二光电转换区块包括m个串联的第二光电转换单元；胶合该第一光电转换区块与该第二光电转换区块；以及电性连接该第一光电转换区块与该第二光电转换区块，使得该些串联的第一光电转换单元并联该些串联的第二光电转换单元；其中，每一该第一光电转换单元的开路电压为Vn，每一该第二光电转换单元的开路电压为Vm，m*Vn/n*Vm的比值介于0.9～1.1之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇通光能股份有限公司，未经宇通光能股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110153617.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：LED封装及其制造方法
- 下一篇：可自动调整拨放音量的通信装置及其方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
