[发明专利]一种单晶铜丝的制备方法无效
| 申请号： | 201110152337.0 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102222624A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 赵剑青;白雪巍 | 申请（专利权）人： | 厦门迈士通控股集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B21C1/02;B21C9/00;B21C43/02;C30B29/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森;何加友 |
| 地址： | 361006 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种单晶铜丝的制备方法，涉及一种铜丝的制备方法。将单晶铜铜杆依次拉制成Φ0.95mm，Φ0.261mm，Φ0.099mm，Φ0.0311mm，Φ0.0160mm的铜丝，然后在H2和N2的保护下，将所得的Φ0.0160mm铜丝进行热处理，再将热处理后的铜丝进行清洗，即得单晶铜丝。由于经过5次拉伸及退火，因此不仅在0.015mm时铜丝的微观结构更加完美，力学及电学性能更好，而且可以拉出直径小于0.015的铜丝。经检验，制备的单晶铜丝呈现紫红色光泽，表面清洁，在显微镜下观看无玷污无缺陷；力学性能要满足标准YS/T678-2008的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜丝 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶铜丝的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)大拉：将单晶铜铜杆拉制成Φ0.95mm的铜丝；2)中拉：将步骤1)所得的铜丝拉制成Φ0.261mm的铜丝；3)小拉：将步骤2)所得的铜丝拉制成Φ0.099mm的铜丝；4)细拉：将步骤3)所得的铜丝拉制成Φ0.0311mm的铜丝；5)微拉：将步骤4)所得的铜丝拉制成Φ0.0160mm的铜丝；6)退火：在H2和N2的保护下，将步骤5)所得的铜丝进行热处理，再将热处理后的铜丝进行清洗，即得单晶铜丝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
