[发明专利]带通道截止沟槽的双栅极氧化物沟槽MOSFET及三或四掩膜工艺

摘要

本发明提出了一种带通道截止沟槽的双栅极氧化物沟槽MOSFET及三或四掩膜工艺。该半导体器件含有多个栅极电极，形成在位于半导体衬底有源区中的沟槽中。第一栅极滑道形成在衬底中，并且电连接到栅极电极上，其中第一栅极滑道包围着有源区。第二栅极滑道连接到第一栅极滑道上，并位于有源区和截止区之间。截止结构包围着第一和第二栅极滑道以及有源区。截止结构含有衬底中布满绝缘物的沟槽中的导电材料，其中截止结构短接至衬底的源极或本体层，从而构成器件的通道终点。

主权项

一种用于制备半导体器件的方法，其特征在于，包含：a)制备半导体衬底；b)在半导体衬底上方使用第一掩膜；并分别形成宽度为W1、W2的沟槽TR1、TR2，其中W1比W2窄，其中沟槽TR2包含连接到沟槽TR1上的第一和第二栅极滑道沟槽，其中第一和第二栅极滑道沟槽中的至少一个紧靠并包围着沟槽TR1；c)在厚度为T1、T2的沟槽TR1、TR2的底部和侧壁上制备栅极绝缘物，其中T2大于T1；d)在沟槽TR1中制备导电材料，以形成栅极电极，在沟槽TR2中制备导电材料，以形成第一和第二栅极滑道以及截止结构，其中第一和第二栅极滑道与栅极电极电连接；e)在半导体衬底的顶部制备一个本体层；f)在本体层的顶部制备一个源极层；g)在半导体衬底上方使用绝缘层；h)在绝缘层上方使用第二个掩膜；i)利用第二个掩膜，通过绝缘层中的接触开口形成电接头，其中接触开口包含在每个栅极电极附近的向着源极层的源极开口、向着栅极滑道的栅极滑道开口、向着截止结构的截止接触开口以及晶片边缘附近的向着源极层或本体层的短路接触开口；并且j)在绝缘层上制备第一和第二金属区，并且相互电绝缘，其中第一金属区与栅极滑道电连接，其中第二金属区与源极接头电连接，其中厚度T2足够厚，能够承载闭锁电压。