[发明专利]多电极电阻抗断层成像数据采集系统无效
申请号: | 201110142394.0 | 申请日: | 2011-05-30 |
公开(公告)号: | CN102274025A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 陈香才;侯忆楠;刘东玲;赵立平;郜超军 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | A61B5/053 | 分类号: | A61B5/053 |
代理公司: | 郑州异开专利事务所(普通合伙) 41114 | 代理人: | 韩华 |
地址: | 450001 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种多电极电阻抗断层成像数据采集系统,包括驱动信号源,模拟开关单元,圆桶电极模型,电流采样模块,电压采样模块,程控放大模块,真有效值转换模块,A/D转换模块,可编程门列阵芯片,FLASH存储器,同步动态存储器。本发明旨在理论基础上用实验方法进行分析研究对象的边界条件与内部电场分布及成像的预设路径与实际路径之间的关系,为进一步提高电阻抗断层成像分辨率提供方法上的依据。其实质性特点和显著的进步主要体现在电极空间分布均匀,在不同旋转方向上形成电场的一致性好;采集数据量大,在单频率信号驱动下,电气旋转一周可获取32768个数据;能够方便地用多种方法对电阻抗断层成像的研究。 | ||
搜索关键词: | 电极 阻抗 断层 成像 数据 采集 系统 | ||
【主权项】:
一种多电极电阻抗断层成像数据采集系统,包括驱动信号源,模拟开关单元,圆桶电极模型,电流采样模块,电压采样模块,程控放大模块,真有效值转换模块,A/D转换模块,可编程门列阵芯片,FLASH存储器,同步动态存储器;其特征在于:所述圆桶电极模型由桶体、自上而下水平设置在所述桶体绝缘内壁上的八层电极单元构成;每层电极单元均有128个电极间隔排列设置;所述每层电极单元中的每个电极分别通过所述模拟开关单元中的模拟开关与所述驱动信号源电连接;所述电流采样模块、电压采样模块由电连接在每层电极单元中的每个电极上的采样电阻构成,所述每个采样电阻的另一端与模拟开关单元中的模拟开关电连接;电流采样模块、电压采样模块的采样信号分别经所述程控放大模块、真有效值转换模块和A/D转换模块后通过所述可编程门列阵芯片存储在FLASH存储器内;可编程门列阵芯片的控制信号输出端分别与模拟开关单元的控制信号输入端、程控放大模块的控制信号输入端电连接。
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