[发明专利]埋入式二次氮化硅衬垫的浅槽隔离结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种埋入式二次氮化硅衬垫的浅槽隔离结构的制备方法，包括形成一个复合结构，所述复合结构包括半导体衬底，覆盖于所述半导体衬底上的氧化膜，覆盖于所述氧化膜上的第一氮化硅衬垫以及于上述结构上形成的图案化沟槽，其中，具体步骤还包括：于所述沟槽内壁及底部覆盖一层氧化膜。本发明的有益效果是：HARP制程产生的中心脆弱界面被有效去除，且在沟槽内埋入了氮化硅衬垫引入氮化硅致应变技术，STI相应沟道内的应力得到调整，使载流子迁移率增强，提高了器件的性能。

主权项

一种埋入式二次氮化硅衬垫的浅槽隔离结构的制备方法，包括形成一个复合结构，所述复合结构包括半导体衬底，覆盖于所述半导体衬底上的氧化膜，覆盖于所述氧化膜上的第一氮化硅衬垫以及于上述结构上形成的图案化沟槽，其特征在于，具体步骤还包括：步骤a、于所述沟槽内壁及底部覆盖一层氧化膜；步骤b、于所述复合结构表面、沟槽内壁及底部的氧化膜上覆盖一层第二氮化硅衬垫；步骤c、采用高深宽比填充工艺于所述第二氮化硅衬垫上形成第一填充物层，使所述沟槽为所述第一填充物层充满，并进行退火；步骤d、将所述步骤c产生的高出所述第二氮化硅衬垫的所述第一填充物层去除；步骤e、将所述沟槽之上的所述第一填充物层及所述沟槽内顶部的部分所述第一填充物层去除，以形成初始二次填充空间；步骤f、去除所述复合结构表面的所述第二氮化硅衬垫，并于所述初始二次填充空间内去除所述第二氮化硅衬垫高出所述沟槽内第一填充物层的部分，形成二次填充空间；步骤g、于所述复合结构表面形成第二填充物层，并使该第二填充物层充满所述二次填充空间；步骤h、将所述步骤g产生的高出复合结构表面的所述第二填充物层去除。