[发明专利]晶体管形成方法有效
| 申请号： | 201110136713.7 | 申请日： | 2011-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102800593A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成阱区；在所述衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极氧化层及位于栅极氧化层表面的栅极；形成位于所述栅极结构两侧衬底内的源区和漏区；形成所述源区和漏区后，对所述衬底进行第一离子掺杂，以进行阈值电压调节。通过将阈值电压调节的第一离子注入在源/漏区后进行，降低第一离子注入前的热处理工艺对第一离子的扩散影响，使得大部分的第一离子分布于衬底表面附近，降低扩散至衬底内部的第一离子的浓度，减小所述源区/漏区与衬底之间的结电容，减小了结漏电流，提高器件的运行速度，进而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底内形成阱区；在所述衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极氧化层及位于栅极氧化层表面的栅极；形成位于所述栅极结构两侧衬底内的源区和漏区；形成所述源区和漏区后，对所述衬底进行第一离子掺杂，以进行阈值电压调节。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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