[发明专利]内嵌肖特基二极管的双载子接面晶体管半导体结构

摘要

本发明公开了一种内嵌肖特基二极管的双载子接面晶体管半导体结构。第三阱形成于第一阱与第二阱之间。第一掺杂区与第二掺杂区形成于第三阱的一表面中。第三掺杂区形成于第一掺杂区与第二掺杂区之间，第三掺杂区电性连接至第一掺杂区与第二掺杂区。第四掺杂区形成于第一阱的一表面中。第五掺杂区形成于第二阱的一表面中并电性连接至第四掺杂区。第一基区形成于第一阱的表面中。第二基区形成于第二阱的表面中。第一肖特基势垒覆盖于第一基区的一部分与第一掺杂区的一部分。第二肖特基势垒覆盖于第二基区的一部分与第二掺杂区的一部分。

主权项

一种半导体结构，包括：一第一阱；一第二阱，与该第一阱隔开；一第三阱，形成于该第一阱与该第二阱之间；一第一掺杂区，形成于该第三阱的一表面中；一第二掺杂区，形成于该第三阱的该表面中；一第三掺杂区，形成于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间并与该第一掺杂区与该第二掺杂区隔开，该第三掺杂区电性连接至该第一掺杂区与该第二掺杂区；一第四掺杂区，形成于该第一阱的一表面中；一第五掺杂区，形成于该第二阱的一表面中并电性连接至该第四掺杂区；一第一基区，形成于该第一阱的该表面中并与该第四掺杂区隔开；一第二基区，形成于该第二阱的该表面中并与该第五掺杂区隔开；一第一肖特基势垒，形成并覆盖于该第一基区的一部分与该第一掺杂区的一部分；以及一第二肖特基势垒，形成并覆盖于该第二基区的一部分与该第二掺杂区的一部分；其中，该第一阱、该第二阱、该第三掺杂区、该第四掺杂区及该第五掺杂区具有一第一导电型，该第三阱、该第一掺杂区、该第二掺杂区、该第一基区及该第二基区具有一第二导电型，该第二导电型相反于该第一导电型。