[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201110132496.4 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102254987B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 迪特尔·皮埃雷克斯 | 申请（专利权）人： | 阿斯莫国际公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。一种有效少数电荷载流子寿命(τeff)至少为500μs的太阳能电池的制造方法，所述方法包括提供半导体晶片；以及通过顺次且交替地(i)暴露所述晶片的表面至第一前体，以形成所述第一前体对所述表面的覆盖，以及(ii)暴露所述表面至第二前体，以形成所述第二前体对所述表面的覆盖，以通过在所述表面上ALD沉积金属氧化物层来钝化所述表面，其中，步骤(i)和(ii)中的至少一个在所述表面的覆盖达到饱和水平之前被停止。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，所述方法包括：提供以相互间隔开的关系层叠布置在反应室中的一批半导体晶片；以及通过顺次且交替地：(i)暴露所述晶片的表面至第一前体，以形成所述第一前体对所述表面的覆盖，其中，步骤(i)的持续时间在1至15s的范围内；以及(ii)暴露所述表面至第二前体，以形成所述第二前体对所述表面的覆盖，其中，步骤(ii)的持续时间在3至20s的范围内；以通过在所述表面上ALD沉积金属氧化物层来同时钝化所述晶片中的每一个的表面，其中，步骤(i)和(ii)中的至少一个在所述晶片中的每一个的表面的覆盖达到饱和水平之前被停止，从而实现至少为500μs的有效少数电荷载流子寿命(τeff)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
