[发明专利]用于等离子体设备腔室的等离子清洗方法无效
| 申请号： | 201110126645.6 | 申请日： | 2011-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102789960A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于等离子体设备腔室的等离子清洗方法。所述等离子体设备的腔室内设置有静电卡盘。所述方法包括：向所述腔室中通入清洗气体；向静电卡盘通入保护性气体，以在所述静电卡盘的表面上形成保护性气体层；激发所述清洗气体形成等离子体，以利用所述等离子体对所述腔室的内壁进行清洗。本发明可以在静电卡盘的表面形成保护性气体层，从而降低清洗气体中的腐蚀性气体对静电卡盘表面的腐蚀性损伤，达到延长静电卡盘的使用寿命的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 设备 等离子 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体设备腔室的等离子清洗方法，所述等离子体设备的腔室内设置有静电卡盘，其特征在于，包括：向所述腔室中通入清洗气体；向静电卡盘通入保护性气体，以在所述静电卡盘的表面上形成保护性气体层；激发所述清洗气体形成等离子体，以利用所述等离子体对所述腔室的内壁进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
