[发明专利]具有交错引线的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201110123304.3 申请日: 2011-05-13
公开(公告)号: CN102779765A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 邱书楠;白志刚;徐雪松;阎蓓悦;葛友 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/495
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 陈华成
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及具有交错引线的半导体器件。提供了一种用于装配半导体器件的方法,所述方法包括提供引线框,所述引线框具有原始平面和具有原始引线节距的多个引线。所述方法包括裁切并成型所述多个引线的第一子集以提供第一排引线。所述方法包括裁切并成型所述多个引线的第二子集以提供第二排引线。引线的至少一个子集被成型为相对于所述原始平面具有钝角,使得与引线的所述第一子集或第二子集相关联的引线节距大于所述原始引线节距。
搜索关键词: 具有 交错 引线 半导体器件
【主权项】:
一种装配半导体器件的方法,包括:提供引线框,所述引线框包括原始平面和具有原始引线节距的多个引线;将所述多个引线的第一子集裁切并成型到第一长度,并将所述引线的第一子集成型为相对于所述原始平面具有钝角,以提供第一排引线;以及将所述多个引线的第二子集裁切并成型到第二长度,所述第二长度比所述第一长度长,并将所述引线的第二子集成型为相对于所述原始平面具有钝角,以提供第二排引线,并且其中,与所述引线的第一子集和第二子集相关联的引线节距大于所述原始引线节距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110123304.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top