[发明专利]一种抗电浪涌低压保护硅二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110116537.0 | 申请日： | 2011-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102194894A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈福元;毛建军;胡煜涛;朱志远;王铮;任亮 | 申请（专利权）人： | 杭州杭鑫电子工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗电浪涌低压保护硅二极管及其制备方法。它包括如下步骤：1）在P型硅单晶抛光片表面上扩散入N+型半导体杂质磷,得到PN+硅片；2）用电子化学清洗1#液和2#液清洗PN+硅片，经过纯水冲洗,将硅片甩干；3）在清洗后的PN+硅片上进行N-型外延生长，得到PN+N-硅片；4）在PN+N-硅片上扩散入N+型半导体杂质磷，得到PN+N-N+的硅片；5）在PN+N-N+硅片的双表面镀上金属层，进行合金，锯切，得到二极管芯片；6）将二极管芯片与封装底座焊接,上保护胶、压模成型封装成器件。本发明制造的抗电浪涌低压保护硅二极管具有生产设备通用，产品性价比高，市场广阔的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浪涌 低压 保护 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗电浪涌低压保护硅二极管，其特征在于在电阻率为0.01～0.08Ω.cm的P型硅单晶抛光片上扩散入N+型半导体杂质磷,进行N‑型外延生长,再扩散入N+型半导体杂质磷,制造成纵向结构为PN+N‑N+的二极管。
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