[发明专利]薄膜晶体管数组基板的制造方法及其结构有效
申请号: | 201110115366.X | 申请日: | 2011-05-05 |
公开(公告)号: | CN102208365A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 言维邦;邱羡坤;廖展章;徐朝焕 | 申请(专利权)人: | 福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L29/786 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜晶体管数组基板的制作方法及其结构,该制造方法仅需使用两道光罩制程即可完成薄膜晶体管数组的制作,其中利用第一道光罩制程界定出薄膜晶体管的源极及汲极的图案及曝露的介电层,并利用第二道光罩制程界定出透明导电层的配置。本发明的薄膜晶体管数组基板的制作方法及其结构可大幅地降低用于制作光罩的成本,且可简化整体制程的步骤。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 数组 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管数组基板的制造方法,其特征在于,包含下列步骤:提供一基板,依序在该基板上堆栈一第一金属层、一介电层、一半导体层及一第二金属层;形成一第一图案化光阻层于该第二金属层上;利用该第一图案化光阻层对该第一金属层、该介电层、该半导体层及该第二金属层进行图案化,以使部份的该介电层的表面曝露,于该第二金属层定义出一源极及一汲极,以及形成位于该源极与该汲极间的一通道;形成一保护层以覆盖该源极、该汲极、该通道及该曝露的介电层;形成一第二图案化光阻层于该保护层上;利用该第二图案化光阻层对该第一金属层、该介电层、该半导体层、该第二金属层及该保护层进行图案化,以曝露出该源极及该汲极的表面以及对应于该曝露的介电层上方的该保护层的表面;形成一透明导电层覆盖该源极及该汲极的表面、前述对应于该曝露的介电层上方的该保护层的表面以及剩余的第二图案化光阻层;以及移除该剩余的第二图案化光阻层,同时将覆盖于该剩余的第二图案化光阻层上方的透明导电层一并移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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