[发明专利]一种多合体功率放大器及其实现方法有效
| 申请号： | 201110110311.X | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102761310A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 陈化璋;刘建利;崔晓俊;段斌 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/07 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 吴艳;龙洪 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多合体功率放大器及其实现方法，Doherty功率放大器的峰值放大电路中包括射频开关电路，射频开关电路用于控制峰值放大电路的导通；其中，功率放大器的载波放大电路的末级载波放大器是采用HVHBT器件，功率放大器的峰值放大电路的末级峰值放大器是采用GaN器件。本发明避免了Doherty功放中峰值支路提前导通的缺点，降低了峰值放大器的功耗，提高了整个Doherty功放的批量效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合体 功率放大器 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种多合体功率放大器，其特征在于，多合体（Doherty）功率放大器的峰值放大电路中包括射频开关电路，所述射频开关电路用于控制所述峰值放大电路的导通；其中，所述功率放大器的载波放大电路的末级载波放大器是采用高压异质结双极晶体管（HVHBT）器件，所述功率放大器的峰值放大电路的末级峰值放大器是采用氮化镓（GaN）器件。
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