[发明专利]半导体器件及其形成方法、射频识别芯片及其形成方法有效
| 申请号： | 201110099727.6 | 申请日： | 2011-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102751244A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张超;吴关平;徐佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/24;G11C11/56;G06K19/077 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法、射频识别芯片及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：在半导体基底上依次形成第一金属层、绝缘层及第二金属层，所述半导体基底、第一金属层、绝缘层及第二金属层分别包括电容区域和相变存储器区域；去除相变存储器区域的绝缘层、第二金属层以及电容区域的部分绝缘层及部分第二金属层，所述电容包括电容区域的第一金属层及剩余的绝缘层和第二金属层；去除部分第一金属层，暴露出所述电容区域和相变存储器区域之间的基底；形成介质层，覆盖所述电容、相变存储器区域的第一金属层以及所述暴露的基底，在所述介质层中形成相变存储器。上述方法将电容和相变存储器集成在一起，实现二者的兼容且形成工艺简单成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 射频 识别 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件包括电容和相变存储器，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上依次形成第一金属层、绝缘层及第二金属层，所述半导体基底、第一金属层、绝缘层及第二金属层分别包括电容区域和相变存储器区域；去除相变存储器区域的绝缘层、第二金属层以及电容区域的部分绝缘层及部分第二金属层，所述电容包括电容区域的第一金属层及剩余的绝缘层和第二金属层；去除部分第一金属层，暴露出所述电容区域和相变存储器区域之间的基底；形成介质层，覆盖所述电容、相变存储器区域的第一金属层以及所述暴露的基底，在所述介质层中形成相变存储器的底部电极和相变电阻，所述底部电极与所述相变存储器区域的第一金属层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
