[发明专利]选择性发射极高效晶体硅太阳能电池的制备工艺

摘要

本发明涉及一种选择性发射极高效晶体硅太阳能电池的制备工艺，先将硅片进行浓磷扩散形成表面重掺杂，再利用喷墨打印技术制作电极掩膜，保护电极重掺杂区，然后通过反刻法将掩膜以外区域进行腐蚀形成浅结，最后丝网印刷印电极、烧结。本发明工艺不需要两次扩散、不要二次印刷，只需要在扩散后增加一台喷墨打印机，喷墨打印技术已十分成熟，所以该工艺完全适合于大生产；制备的选择性发射极晶体硅太阳能电池转换率高，多晶平均转换在17.5％～18.5％，单晶平均转换效率在18.5％～19.5％，填充因子均大于79％，串联电阻在0.5～1.5mΩ。

主权项

选择性发射极高效晶体硅太阳能电池的制备工艺，其特征是，包括步骤如下：(1)将硅片进行浓磷扩散形成表面重掺杂区(即重扩散，采用正常工艺，形成高浓度掺杂区)，硅片的方块电阻控制在30Ω/□～40Ω/□；(2)用喷墨打印机打印正电极图形，制备电极掩膜，保护电极重掺杂区；(3)用湿法链式刻蚀机腐蚀电极掩膜区以外的区域，形成90Ω/□～100Ω/□的薄层电阻；(4)对硅片边缘刻蚀，去电极掩膜，去磷硅玻璃；(5)镀减氮化硅反射膜；(6)丝网印刷印电极，烧结。