[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明属于场效应晶体管技术领域，具体为一种石墨烯场效应晶体管的制备方法。该方法的步骤包括：提供红外线可穿透的衬底；化学气相淀积石墨烯形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上构图形成栅介质层；以及在栅介质层上构图形成栅端。其中，石墨烯沟道层可操作地在红外线辐射下产生光电导效应，以使石墨烯场效应晶体管的电学特性发生变化。该制备方法工艺过程简单并易于与集成电路制造工艺兼容，所制备的场效应晶体管具有灵敏度高、功耗低、超轻超稳定的红外探测功能，并且红外吸收带宽且可根据实际应用需求可调。

主权项

一种石墨烯场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供红外线可穿透的衬底；（2）化学气相淀积石墨烯形成石墨烯沟道层；（3）在所述石墨烯沟道层上构图形成栅介质层；以及（4）在所述栅介质层上构图形成栅端；其中，所述石墨烯沟道层可操作地在红外线辐射下产生光电导效应、以使所述石墨烯场效应晶体管的电学特性发生变化。