[发明专利]一种提高N型111晶向电阻率均匀性的方法

摘要

本发明涉及一种提高N型111晶向电阻率均匀性的方法，该先采用<111>晶向的单晶棒，制备出偏向<110>方向X角度的籽晶，然后进行引晶，使晶体沿着<11X>晶向，生长出<11X>晶向偏向<110>晶面方向单晶体，然后将<11X>晶向的单晶体偏切X角，切出<111>晶片即可。X角度在1～5度之间。采用本发明方法，避免了晶体(111)小平面生长，其生长的单晶外圆特征基本圆整(如图2所示)，其晶棒断面电阻率图谱(如图4所示)表明没有(111)小平面的存在。这样大大提高N型<111>晶向电阻率均匀性。同时由于晶体外部较圆整，滚磨成品率可以大大提高，因此能提高晶体产品的成品率。

主权项

一种提高N型111晶向电阻率均匀性的方法，其特征在于先采用<111>晶向的单晶棒，制备出偏向<110>方向X角度的籽晶，然后进行引晶，使晶体沿着<11X>晶向，生长出<11X>晶向偏向<110>晶面方向单晶体，然后将<11X>晶向的单晶体偏切X角，切出<111>晶片即可。