[发明专利]一种提高N型111晶向电阻率均匀性的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种提高N型111晶向电阻率均匀性的方法，特别是径向电阻率均匀性。

背景技术

当硅晶体切成硅片后，在硅片上要做许多原器件，比如二极管、三极管、集成电路等管芯，如果一个硅片中的径向电阻率均匀性差，做出来的许多管芯的性能就不能一致性，径向电阻率越差，做出的管芯一致性越差，所以器件厂家要求单晶硅材料厂家的径向电阻率控制在越低越好。而N型<111>晶向硅晶体生长最易出现的(111)小平面(如图1中所示中心小圆)效应，其晶棒径向电阻率测定的图谱(如图3所示)表明有2公分左右的小平面存在；而生长界面上出现(111)小平面是造成晶向<111>晶体径向电阻率不均匀的重要原因。小平面区和非小平面间的电阻率突变来源于两区的生长机制不同。(111)小平面是原子级光滑面，在它上面生长是二维成核侧向生长机制，侧向生长高速率，杂质原子能被更为有效地被捕获在生长界面上，造成小平面里外杂质浓度差很大，导致(111)小平面径向均匀性较差，电阻率不均匀。

发明内容

本发明的目的是提供防止出现(111)小平面效应的一种提高N型111晶向电阻率均匀性的方法。

本发明采取的技术方案是：一种提高N型111晶向电阻率均匀性的方法，其特征在于先采用<111>晶向的单晶棒，制备出偏向<110>方向X角度的籽晶，然后进行引晶，使晶体沿着<11X>晶向，生长出<11X>晶向偏向<110>晶面方向单晶体，然后将<11X>晶向的单晶体偏切X角，切出<111>晶片即可。

所述的X角度1～5度。

采用本发明方法，避免了晶体(111)小平面生长，其生长的单晶外圆特征基本圆整(如图2所示)，其晶棒断面电阻率图谱(如图4所示)表明没有(111)小平面的存在。这样大大提高N型<111>晶向电阻率均匀性。同时由于晶体外部较圆整，滚磨成品率可以大大提高，因此能提高晶体产品的成品率。

附图说明

图1是本发明前的晶棒断面示意图。

图2是本发明后的晶棒断面示意图。

图3是本发明前的晶体径向电阻率测定的图谱。

图4是本发明后的晶体径向电阻率测定的图谱。

具体实施方式

下面采用本发明具体的实施作进一步说明。

一、制作晶种。采用<111>晶向的单晶棒，切出晶种生长方向朝着<110>晶向偏离2度角的籽晶。其中的偏离角一般在1～5度。

二、引晶。采用上述籽晶，使晶体沿着<112>晶向，生长出<112>晶向偏向<110>晶面方向单晶体。

三、切片。利用定向仪，偏切2度角，切出<111>晶片即可。

四、通过上述制作的<111>晶片，据测试，径向电阻率均匀性大大提高，同时也改善了单晶体的外型特征，可以提高单晶滚圆的成品率。