[发明专利]一种提高110单晶硅成晶率的制备方法无效
| 申请号： | 201110084305.1 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102168303A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 蔡芸 | 申请（专利权）人： | 浙江晨方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 舒良 |
| 地址： | 324300 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法，其特征在于采用<110>或<100>单晶切出晶向偏离<110>方向X角度的籽晶，然后采用该籽晶进行引晶，并保持引晶长度在12cm以上。X角度在1～9度之间。采取本发明方法，因<110>籽晶的晶轴与生长方向偏离X角度，就可以在引晶过程排尽位错，引出的<110>晶向的晶体就可以保证无位错生长，因此能提高成晶率，保证成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 110 单晶硅 成晶率 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法，其特征在于采用<110>或<100>单晶切出晶向偏离<110>方向X角度的籽晶，然后采用该籽晶进行引晶，并保持引晶长度在12cm以上。
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