[发明专利]一种提高110单晶硅成晶率的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种提高110单晶硅成晶率的制备方法。

背景技术

因为<111>晶向单晶生长排除位错角为60度，<100>晶向单晶生长排除位错角为90度，而<110>晶向单晶生长排除位错角为0度，所以<110>晶向单晶位错很难排出而尽，常常引晶后放肩脱棱或等径后晶体生长不下去而产生位错掉苞，使其晶体生长成晶率不高，导致<110>晶向成晶率太低。

发明内容

本发明的目的是提供在引晶过程中无位错生长的一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法。

本发明采取的技术方案是：一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法，其特征在于采用<110>或<100>单晶切出晶向偏离<110>方向X角度的籽晶，然后采用该籽晶进行引晶，并保持引晶长度在12cm以上。

所述的X角度在1～9度。

采取本发明方法，因<110>籽晶的晶轴与生长方向偏离X角度，就可以在引晶过程排尽位错，引出的<110>晶向的晶体就可以保证无位错生长，因此能提高成晶率，保证成品率。

具体实施方式

下面采用本发明具体的实施作进一步简要说明。

一、制作晶种要求：用<110>或<100>单晶，通过定向仪，切出晶种，使其晶向偏离<110>方向X角，X值在1～9度，最好在一般为4±1度。

二、引晶：采用上述的的籽晶进行引晶，要求引晶长度在12cm，但最好在22±3之间。

三、这样采用偏离晶向后的<11x>方向进行引晶，生长出的晶体具有排位错角，就可容易排出位错，引出的<110>晶向的晶体就可以保证无位错生长。因此能提高成晶率，且能保证成品率。据生长测试结果，通过上述方法，成晶率可以达到98％以上。