[发明专利]一种以蛋膜为模板的生长水滑石的方法无效

专利信息
申请号: 201110083668.3 申请日: 2011-04-02
公开(公告)号: CN102225777A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: 王君;李松南;景晓燕;刘琦;宋大雷;葛兰;张密林 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: C01F7/02 分类号: C01F7/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明提供的是一种以蛋膜为模板的生长水滑石的方法。(1)将从蛋壳内表面取下的蛋膜清洗干净;(2)配置二价金属离子浓度为0.03-3mol/L,二价金属离子与三价金属离子摩尔比为2∶1-4∶1的二价金属的可溶性盐与三价金属的可溶性盐的混合盐溶液分装于小瓶中,用蛋膜覆盖瓶口、固定,既得反应器;(3)将所述反应器置入到碱性溶液中,在0-60℃的条件下,使水滑石在蛋膜表面成核、生长0.5-100天,将获得的沉淀过滤、干燥即制得水滑石。本发明以蛋膜为模板生长花状水滑石,在整个复合材料的制备过程中不需提供其他辅助条件来帮助水滑石成核、生长。
搜索关键词: 一种 模板 生长 滑石 方法
【主权项】:
一种以蛋膜为模板的生长水滑石的方法,其特征是:(1)将从蛋壳内表面取下的蛋膜清洗干净;(2)配置Mg2+浓度为0.03‑3mol/L,Mg2+与Al3+摩尔比为2∶1‑4∶1的Mg的可溶性盐与Al的可溶性盐的混合盐溶液分装于小瓶中,用蛋膜覆盖瓶口、固定,既得反应器;(3)将所述反应器置入到碱性溶液中,在0‑60℃的条件下,使水滑石在蛋膜表面成核、生长0.5‑100天,将获得的沉淀过滤、干燥即制得水滑石。
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