[发明专利]半导体激光器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110083417.5 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102214894A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 久义浩;田中秀幸;八代正和;幸长则善 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于得到能够低价且简单地制造的在高温特性方面优良的半导体激光器装置及其制造方法。利用模塑树脂（2）将导线（3）固定在框架（1）上。利用焊料（4）将副固定件（5）接合在框架（1）上，利用焊料（6）将半导体激光器芯片（7）接合在副固定件（5）上。这样，利用焊料（4）将框架（1）和副固定件（5）连接，所以能够改善散热性。并且，采用耐热温度比焊料（4、6）的熔点高的模塑树脂（2）。因此，将装载的框架（1）、副固定件（5）及半导体激光器芯片（7）加热，使焊料（4、6）熔融，能够使框架（1）、副固定件（5）及半导体激光器芯片（7）彼此同时接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器装置，其特征在于，具有：框架；导线，利用模塑树脂固定在所述框架上；副固定件，利用第一焊料接合在所述框架上；以及半导体激光器芯片，利用第二焊料接合在所述副固定件上，所述模塑树脂的耐热温度比所述第一以及第二焊料的熔点高。
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