[发明专利]一种气敏层采用弱外延有机半导体薄膜气体传感器无效
| 申请号： | 201110073530.5 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102221569A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 闫东航;王秀锦;纪世良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/02 | 分类号： | G01N27/02;H01L51/00 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 | 代理人： | 马守忠 |
| 地址： | 130022 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气敏层采用弱外延有机半导体薄膜的气体传感器，利用弱外延生长的有机半导体单晶薄膜在单分子层厚度时依然保持较高的电导率的特点，采用厚度仅为几个纳米的弱外延生长的有机半导体薄膜作为气敏层，可以有效减少敏感气体进出薄膜的路径，克服现有有机半导体气体传感器中气敏层多为多晶或非晶薄膜，电导率低，厚度通常在几百甚至上千纳米，敏感气体进出薄膜路径长，器件响应/回复时间长的缺点。本发明提供的有机半导体气体传感器在室温条件下即可以检测体积分数为百万分之五二氧化氮气体，并且响应/回复时间不大于5分钟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气敏层 采用 外延 有机半导体 薄膜 气体 传感器 | ||
【主权项】：
气敏层采用弱外延有机半导体薄膜气体传感器1、一种气敏层采用弱外延有机半导体薄膜气体传感器，所述的气敏层是基于弱外延生长的有机半导体薄膜在单分子层厚度时依然保持较高的电导，利用这种超薄膜作为有机半导体气体传感器的气敏层；其特征在于，其由基板(1)、诱导层(2)、第一有机半导体层(3)、金属电极(5)顺次连接构成；所述诱导层(2)和所述有机半导体层(3)之间存在弱外延关系，所述弱外延关系是诱导层(2)的材料分子与有机半导层(3)的材料分子之间是范德华力作用，并且二者晶体晶格之间存在外延关系，
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